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英特爾與Numonyx在相變儲存器技術上取得研究突破

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英特爾與Numonyx在相變儲存器技術上取得研究突破
新技術?可擴展、密度更高的相變儲存器?品作好準備


 
英特爾公司與Numonyx B.V.今天公布了一項突破性的相變儲存器(phase change memory,PCM)研究成果,這項嶄新的非易失性(non-volatile)儲存器技術結合了目前各種儲存器的優勢。研究人員

首次展示了能夠在單一矽晶上堆疊或放置多個PCM陣列的64Mb測試晶片。這些研究成果?製造容量更高、能耗更低的儲存器設備作好準備,能夠?隨機存取非易失性儲存器和儲存應用降低所佔用的空間。

這項成果由Numonyx和英特爾聯合開發,雙方一直共同探索在多層或堆疊式PCM單元陣列方面的研究。英特爾和Numonyx的研究人員現在能夠展示名為相變儲存器與開關(phase change memory and switch,PCMS)的垂直整合型儲存器單元。PCMS由一個PCM組件和新型雙向定限開關(Ovonic Threshold Switch,OTS)以真正的交叉點陣列方式組成。堆疊多層PCMS陣列的能力提供了實現更高儲存器密度的可擴展性,同時保持PCM的性能特徵,而基於傳統儲存器技術則越來越難以實現。

英特爾院士兼儲存器技術開發總監Al Fazio表示:「我們將會繼續開發儲存器的相關技術,以推動運算平台的進步。這項研究里程碑的成果令人振奮,我們認?對於擴展儲存器在運算解?方案中的作用以及提高性能和儲存器擴展能力,PCMS等未來儲存器技術至關重要。」

Numonyx公司高級技術院士Greg Atwood表示:「這項研究成果大有可為,打開為PCM?品開發密度更高、可擴展的陣列和類似NAND使用模式的可能性。傳統快閃儲存技術一直面對物理限制和可靠性問題,然而從手提電話到數據中心等設備對儲存器的需求卻越來越高,因此這項研究成果意義極為重大。」
 
儲存器單元通過堆疊儲存組件和選擇器而製造,由幾個單元構成儲存器陣列。英特爾和Numonyx的研究人員能夠將薄膜以及雙終端OTS部署?選擇器,其物理和電氣特性非常適合PCM擴展。現在,薄膜型PCMS的兼容性讓多層交叉點儲存器陣列成?可能。分層陣列一旦整合起來,並按照真正的交叉點陣列進行嵌入,可與CMOS電路結合,用作解碼、傳感和邏輯功能。

在12月9日即將在美國巴爾的摩市舉行的2009年國際電子設備大會(International Electron Devices Meeting,IEDM)上,兩家公司將聯合發表標題?《可堆疊交叉點相變儲存器》(“A Stackable Cross Point Phase Change Memory”)的論文,披露更多有關儲存器單元、交叉點陣列、實驗以及結果的詳情。這篇論文由英特爾和Numonyx的技術人員共同撰寫,英特爾高級首席工程師DerChang Kau將於會上進行相關演講。