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英特爾與Numonyx在相變儲存器技術上取得研究突破

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英特爾與Numonyx在相變儲存器技術上取得研究突破
新技術?可擴展、密度更高的相變儲存器?品作好準備


 
英特爾公司與Numonyx B.V.今天公布了一項突破性的相變儲存器(phase change memory,PCM)研究成果,這項嶄新的非易失性(non-volatile)儲存器技術結合了目前各種儲存器的優勢。研究人員

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